企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 天津 天津 |
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李春胜 先生
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公司地址: | 天津市河东区沙柳路15号 |
发布时间:2021-11-13 20:30:31
天津市合康双盛光电信息技术有限公司于2004年成立,是一家***从事光通信器件的研发、生产及销售的大型光电信息技术公司。十年来,本公司不断秉承以用户需要为中心,在专注光通讯器件研发的同时,从2005年开始研究开发氧化锆陶瓷转接陶瓷套筒。
氧化锆陶瓷一般可以使用一年,虽然部分随着水流冲走,但是还有些存留在硝化菌空隙里,慢慢的堆积到后面就把空隙堵塞了。陶瓷环寄生效果就会逐渐降低,所以需要定期更换的。
随着时间的推移,您会发现“陶瓷”的颜色“白”-“黄”-“深黄”,这是由于水里的杂质已经把“陶瓷”的表面空隙堵塞了,即使是清洗也不会达到满意的效果!
普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种,有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料,如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等;95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件;85瓷中由于常掺入部分滑石,提高了电性能与机械强度,可与钼、铌、钽等金属封接,有的用作电真空装置器件。
提起陶瓷材料,人人往往容易将其与脆弱联系起来,但实际上由于氧化铝陶瓷添加了特殊的材料,因此在物理性能方面,与传统陶瓷相比要优越的多。合格的氧化铝陶瓷制品硬度水平很高,在挤压、冲撞情况下不会发生损伤。
氮化硅陶瓷
氮化硅(Si3N4)陶瓷是非氧化物陶瓷中发展较快的一种工程陶瓷,硅、氮之间以共价键结合形成[SiN4]四面体结构单元,使陶瓷具有高强度、高硬度、优良的氧化和耐腐蚀性能。这些优异性能很大程度上取决于原料粉体的性能,因此高纯度、高α相含量、粒径分布窄的氮化硅粉体的制备至关重要。氮化硅粉体的合成方法主要有直接氮化法、碳热还原法、等离子法等,其中直接氮化法因工艺简单,生产过程中***副产物以及产品可重复性好,是目前工业化生产中常用的方法。
氮化硅有两种结晶形态,即细颗粒状的α-Si3N4和针柱状的β-Si3N4。坯体中细颗粒的α-Si3N4在烧结温度下可转变为针柱状的β-Si3N4,起到自增韧的作用,因此氮化硅陶瓷比碳化硅陶瓷具有更高的强度和韧性,更适合制备刀具、轴承等需要高强度和高韧性的陶瓷制品。氮化硅刀具通常采用热压烧结,以降低温度、***晶粒长大、提高其致密化程度。氮化硅陶瓷轴承材料不仅需要高的强度和韧性,而且对晶粒尺寸和致密化的要求也很高。为此,常采用两次烧结的工艺,即先用气压烧结至相对密度90%以上,使表面气孔基本封闭,然后再进行热等静压烧结,使其相对密度达到99.8%以上。
传统的氧化锆陶瓷干压技术只能用在产品成型后处理阶段,使产品不能满足客戶对产品形狀及批量化的需求,现如今我们采用***成型技术和并通过良好的收缩比控制以及后期的加工,使得氧化锆陶瓷零件都可适用于模具,夹具和模具的各类精密生产设备。
光模块损坏常见原因分析1.光口污染和损伤由于光接口的污染和损伤引起光链路损耗变大,导致光链路不通。产生的原因有:a、光模块光暴露在环境中,光口有灰尘进入而污染;b、使用的光纤连接器端面已经污染,光模块光口二次污染;c、带尾纤的光接头端面使用不当,端面划伤等;d、使用劣质的光纤连接器;e、插拔不当,陶瓷套筒损坏等。2.ESD 损伤ESD 是ElectroStatic Discharge 缩写即”静电放电”,是一个上升时间可以小于1ns(10 亿分之一秒)甚至几百ps(1ps=10000 亿分之一秒)的非常快的过程,ESD 可以产生几十Kv/m甚至更大的强电磁脉冲。静电会吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响产品的功能与寿命;ESD的瞬间电场或产生的热,使元件受伤,短期仍能工作但寿命受到影响;甚至***元件的绝缘或导体,使元件不能工作(完全***)。ESD 是不可避免,除了提高电子元器件的抗ESD 能力,重要的是正确使用,引起ESD 损伤的因素有:a、环境干燥,易产生ESD;b、不正常的操作,如:非热插拔光模块带电操作;不做静电防护直接用手接触光模块静电敏感的管脚;运输和存放过程中没有防静电包装;c、设备没有接地或者接地不良。
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